硅片图形掩膜制作硅片氧化氮化镀膜刻蚀键合划片pecvd Lpcvd加工

哈尔滨特博科技有限公司

1.微纳光子器件制备，包括：

1）高质量纳米光子器件高精度的EBL曝光和刻蚀工艺，可以加工高质量纳米光子器件。（加工线宽低达10nm）

2）成熟的基于SU8聚合物材料的光子器件加工能力，（加工线宽低达2um）

3）成熟的氮化硅光子器件加工能力。（加工线宽可达2um ）

4）以上器件均可制备配套的金属电极等。

半导体工艺能力：

1、匀胶工艺: 可以提供AZ 1350 AZ 9260 瑞红光刻胶及AR系列的涂覆工艺

负胶SU8 KMPR（100-500微米）

2、紫外光刻工艺：周期性光栅，非常小线宽2微米高宽比可以达到20

3、镀膜工艺：磁控溅射，离子束溅射，热蒸发（金银铜锌钛铬镍钒铝等）

4、刻蚀工艺：深硅刻蚀，二氧化硅刻蚀金属刻蚀等

5、电镀或电铸工艺：提供金属模具的制备

6、氧化：湿氧干氧（每炉100片，均匀性《5%）

7、PECVD 氧化硅和氮化硅

8、LPCVD 氮化硅一炉50-75片

9、电子束光刻：纳米电极，纳米结构的制备工艺

10、激光切割及隐形切割，硅和玻璃穿孔

MEMS成套工艺：

1、衍射光学器件：DOE及光栅等设计加工

2、MEMS微流体设计及加工

半导体耗材：

1、汞灯

2、BF33玻璃

3、厚氧化片：氧化层厚度3微米以上

4、金属镀膜：反射膜增透膜，各种金属多层膜

5、半导体硅块及斜切

6、半导体硅片减薄

可开机打普通，方便客户报销。

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